Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7196
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Артемьев, С.Р. | - |
dc.date.accessioned | 2018-07-13T07:59:01Z | - |
dc.date.available | 2018-07-13T07:59:01Z | - |
dc.date.issued | 2018-06 | - |
dc.identifier.citation | С.Р. Артемьев. Дослідження ме-ханізмів процесу росту кристалів (модель Косселя).Технологический аудит и резервы производства. – №3/3(41), 2018. – 69 с.(с. 4-10). | ru_RU |
dc.identifier.issn | ISBN 2226-3080 | - |
dc.identifier.uri | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7196 | - |
dc.description.abstract | Обʼєктом даного дослідження є механізми процесів росту кристалів. В якості моделі дослідження взято плоскогранний кристал у формі кубиків. Досліджено два механізми росту кристалів. При першому механізмі в процесі росту кристалу зростаюча поверхня рухається за рахунок бічного переміщення ступенів, при другому відбувається безперервний потік уздовж нормалі до поверхні кристала. Проблемним питанням під час вирощування кристалів зазначеними механізмами з розплаву є збереження чистоти самого металу, особливо якщо він знаходиться у розплавленому стані. Показано, що під час застосування «пошарового» механізму росту кристалів проблемним моментом є процес утворення двовимірних «зародків». Даний процес досить чутливий до пересичення, і ймовірність його проведення при показниках нижче 45–50% досить мала. В ході досліджень були використані методи статистичного аналізу для визначення позитивних і негативних сторін використання механізмів росту кристалів, аналізу результатів досліджень для визначення динаміки використання того чи іншого механізму вирощування кристалів. Застосовувався гипотетико-дедуктивний метод в процесі ознайомлення фактичного матеріалу досліджень в області росту кристалів, які додатково вимагають поглибленого аналізу джерел інформації і метод узагальнення результатів для встановлення загальних властивостей і тенденцій, характерних досліджуваним механізмам росту кристалів. Обґрунтовано, що за недотримання теплових умов проведення обох процесів складно домогтися потрібної орієнтації і конфігурації кристалів. Показано, що «нормальний» механізм росту кристалів ефективний за дотримання умови того, що на поверхні має бути досить багато «енергетично вигідних» місць закріплення атомів, що не завжди може виконуватися. | ru_RU |
dc.language.iso | en | ru_RU |
dc.publisher | PC TECHNOLOGY CENTER | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | №3/3 (41); | - |
dc.subject | механізми зростання, пошаровий механізм, нормальний механізм, модель Косселя | ru_RU |
dc.title | ДОСЛІДЖЕННЯ МЕХАНІЗМІВ ПРОЦЕСА РОСТУ КРИСТАЛІВ (МОДЕЛЬ КОССЕЛЯ) | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра охорони праці та техногенно-екологічної безпеки |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Kossel.pdf | 1,49 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.