Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8906
Title: Причины и возможные пути снижения миллисекундного послесвечения в кристаллах CsI:Tl
Other Titles: Reasons and possible ways to suppress millisecond afterglow in CsI:Tl crystal
Authors: Овчаренко, Наталия В.
Kudin, Alexander M.
Старжинский, Николай Г.
Шпилинская, Александра Л.
Keywords: CsI Crystal
afterglow
co-doping
complex lattice defect
Issue Date: 2010
Publisher: Институт кристаллографии
Citation: Тезисы докладов НКРК-2010. - т, 1. - С. 17.
Series/Report no.: т. 1;
Abstract: В работе рассмотрены причины и возможные пути снижения миллисекундного послесвечения кристаллов CsI:Tl. Основной причиной возникновения миллисекундного ПС являются, как мы полагаем, катионные двух- и трехвалентные примеси и связанные с ними ловушки, термическая стабильность которых соответствует температуре 190-215K. Химический анализ коммерческого сырья и преднамеренное введение катионных примесей, таких как Sr2+, Cd2+, Ba2+, Mn2+, Eu2+, Fe3+, Bi3+ в кристаллы CsI:Tl показали, что наиболее вероятными причинами появления миллисекундного ПС является загрязнение исходного сырья катионами Ba2+ либо растущего кристалла катионами Fe3+.
Description: доклад на Национальной конф. по росту кристаллов в Институте кристаллографии
URI: http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/8906
Appears in Collections:Кафедра фізико-математичних дисциплін

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
afterglow_NCCG_10.pdf96,1 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.