Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7196
Назва: | ДОСЛІДЖЕННЯ МЕХАНІЗМІВ ПРОЦЕСА РОСТУ КРИСТАЛІВ (МОДЕЛЬ КОССЕЛЯ) |
Автори: | Артемьев, С.Р. |
Ключові слова: | механізми зростання, пошаровий механізм, нормальний механізм, модель Косселя |
Дата публікації: | чер-2018 |
Видавництво: | PC TECHNOLOGY CENTER |
Бібліографічний опис: | С.Р. Артемьев. Дослідження ме-ханізмів процесу росту кристалів (модель Косселя).Технологический аудит и резервы производства. – №3/3(41), 2018. – 69 с.(с. 4-10). |
Серія/номер: | №3/3 (41); |
Короткий огляд (реферат): | Обʼєктом даного дослідження є механізми процесів росту кристалів. В якості моделі дослідження взято плоскогранний кристал у формі кубиків. Досліджено два механізми росту кристалів. При першому механізмі в процесі росту кристалу зростаюча поверхня рухається за рахунок бічного переміщення ступенів, при другому відбувається безперервний потік уздовж нормалі до поверхні кристала. Проблемним питанням під час вирощування кристалів зазначеними механізмами з розплаву є збереження чистоти самого металу, особливо якщо він знаходиться у розплавленому стані. Показано, що під час застосування «пошарового» механізму росту кристалів проблемним моментом є процес утворення двовимірних «зародків». Даний процес досить чутливий до пересичення, і ймовірність його проведення при показниках нижче 45–50% досить мала. В ході досліджень були використані методи статистичного аналізу для визначення позитивних і негативних сторін використання механізмів росту кристалів, аналізу результатів досліджень для визначення динаміки використання того чи іншого механізму вирощування кристалів. Застосовувався гипотетико-дедуктивний метод в процесі ознайомлення фактичного матеріалу досліджень в області росту кристалів, які додатково вимагають поглибленого аналізу джерел інформації і метод узагальнення результатів для встановлення загальних властивостей і тенденцій, характерних досліджуваним механізмам росту кристалів. Обґрунтовано, що за недотримання теплових умов проведення обох процесів складно домогтися потрібної орієнтації і конфігурації кристалів. Показано, що «нормальний» механізм росту кристалів ефективний за дотримання умови того, що на поверхні має бути досить багато «енергетично вигідних» місць закріплення атомів, що не завжди може виконуватися. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repositsc.nuczu.edu.ua/handle/123456789/7196 |
ISSN: | ISBN 2226-3080 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра охорони праці та техногенно-екологічної безпеки |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Kossel.pdf | 1,49 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.